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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GATMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1

Artikelnummer: IPD122N10N3GATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Datenblätte:
1.IPD122N10N3GATM.pdf ···

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  • Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3
    Serie OptiMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V
    Verlustleistung (max) 94W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc)
    Grundproduktnummer IPD122
    IPD122N10N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD122N10N3GATMA1 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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