Deutsch
| Artikelnummer: | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $10.3013 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 90A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPD068 |
| IPD068N10N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD068N10N3GATMA1 PDF - EN.pdf |




IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies - Y-IC ist ein Qualitätshändler von Infineon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPD068N10N3GATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Infineons OptiMOS™-Serie. Er zeichnet sich durch hervorragende Leistungseigenschaften aus und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungsverwaltung.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
90A Dauer-Drain-Strom
Niediger R-on-Wert (6,8 mΩ @ 90A, 10V)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Vgs(th)und Rds(on)-Streuungen
Optimiert für hocheffiziente Stromwandlung
Herausragende Energieeffizienz
Hohe Leistungsdichte
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine breite Palette von Anwendungen geeignet
Tape & Reel (TR)
Oberflächenmontagegehäuse (TO-252-3, DPAK)
RoHS-konform
Der IPD068N10N3GATMA1 ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Elektrofahrzeuge
Industrielle Automatisierung
Das maßgebliche Datenblatt für den IPD068N10N3GATMA1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote über unsere Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem Aktionsangebot zu profitieren.
IPD068N10N3 G INFINEON
INFINEON TO-252
IPD06N03 I
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
IPD064N06N INFINEO
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD068P03L3 G I
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD068N10N3G infineon
INFINEON PG-TO252-3
IPD068P03L3G I
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/05/16
2025/06/30
2025/03/31
2025/07/16
IPD068N10N3GATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|