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| Artikelnummer: | 70V3579S4DR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
| Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse | 208-PQFP (28x28) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 208-BFQFP |
| Paket | Tray |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 1.125Mbit |
| Speicherorganisation | 32K x 36 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | 70V3579 |
| Zugriffszeit | 4.2 ns |
| 70V3579S4DR Einzelheiten PDF [English] | 70V3579S4DR PDF - EN.pdf |




IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
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70V3579S4DRRenesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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