Deutsch
| Artikelnummer: | MRFE6VS25NR1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $545.674 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 50 V |
| Spannung - Nennwert | 133 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-270-2 |
| Serie | - |
| Leistung | 25W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-270AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | 25.4dB |
| Frequenz | 512MHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 10 mA |
| Grundproduktnummer | MRFE6 |
| MRFE6VS25NR1 Einzelheiten PDF [English] | MRFE6VS25NR1 PDF - EN.pdf |




MRFE6VS25NR1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Produkte der Marke NXP Semiconductors. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der MRFE6VS25NR1 ist ein Hochleistungs-RF-MOSFET-Transistor von NXP Semiconductors, der für den Einsatz in Frequenzbereichen um 512 MHz entwickelt wurde.
– LDMOS-Technologie
– Verstärkung von 25,4 dB
– Testspannung von 50 V
– Teststrom von 10 mA
– Ausgangsleistung von 25 W
– Nennspannung von 133 V
– Gehäuse für Oberflächenmontage
– Zuverlässiger und hochleistungsfähiger RF-Leistungsverstärker
– Ideal für Anwendungen bei 512 MHz
– Herausragende Verstärkungs- und Leistungswerte
– Robuste LDMOS-Technologie für erhöhte Langlebigkeit
– Tape & Reel (TR) Verpackung
– Oberflächenmontagegehäuse TO-270AA
– 2-polige Konfiguration
– Geeignet für thermische und elektrische Anwendungen
– Dieses Produkt ist aktuell in Produktion und aktiv.
– Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
– RF-Leistungsverstärker
– Rundfunksender
– Geräte für drahtlose Kommunikation
Das aktuellste und zuverlässigstes Datenblatt für den MRFE6VS25NR1 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden können Angebote bequem auf unserer Website anfordern. Holen Sie sich jetzt Ihr Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot.
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Wideband RF Power LDMOS Transist
FREESCALE TO-270
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
MRFF002G3K00-01R Original
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
MRFE6VP8600HS FSL
FET RF 8V 3.55GHZ
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
FET RF 133V 512MHZ NI360L
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULL
FREESCALE TO-270
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2026/06/5
2026/06/5
2026/06/5
2026/06/5
MRFE6VS25NR1NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|