Deutsch
| Artikelnummer: | MRF7S21150HSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $268.0495 |
| 250+ | $106.9546 |
| 500+ | $103.3802 |
| 1000+ | $101.6137 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780S |
| Serie | - |
| Leistung | 44W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-780S |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 17.5dB |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 1.35 A |
| Grundproduktnummer | MRF7 |
| MRF7S21150HSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF7S21150HSR3 PDF - EN.pdf |




MRF7S21150HSR3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von NXP Semiconductors / Freescale Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der MRF7S21150HSR3 ist ein diskreter Hochleistungs-LDMOS-FET für den Einsatz in drahtlosen Infrastruktur-Anwendungen im Frequenzbereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz.
– Transistortyp: LDMOS
– Verstärkung: 17,5 dB
– Frequenzbereich: 2,11 GHz – 2,17 GHz
– Test-Spannung: 28 V
– Test-Strom: 1,35 A
– Ausgangsleistung: 44 W
– Nenn-Spannung: 65 V
Zuverlässige Leistung für drahtlose Infrastrukturen, hohe Leistung und Effizienz, geeignet für den Frequenzbereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz.
Gehäuse / Verpackung: NI-780S
Lieferanten-Produktpaket: NI-780S
Verpackungsart: Pocket & Reel (TR)
Das Produkt MRF7S21150HSR3 ist aktiv und verfügbar. Es können auch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite.
Drahtlose Infrastruktur, Mobilfunk-Basisstationen, Anwendungen im Frequenzbereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz
Das zuverlässigste Datenblatt für den MRF7S21150HSR3 finden Sie auf unserer Webseite. Es wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Angebot anfordern | Mehr erfahren | Begrenztes Angebot
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS
MRF7S21170H FSL
MRF7S21110HS FREESCALE
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
RF S BAND, N-CHANNEL
MRF7S21150HS FREESC
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
FREESCALE NI-880S
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
RF S BAND, N-CHANNEL
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
MRF7S21150HSR3NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|