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| Artikelnummer: | MRF7P20040HSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $114.9558 |
| 250+ | $45.8682 |
| 500+ | $44.3361 |
| 1000+ | $43.578 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 32 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780S-4L |
| Serie | - |
| Leistung | 10W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-780S-4L |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Rauschmaß | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | 18.2dB |
| Frequenz | 2.03GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 150 mA |
| Konfiguration | Dual |
| Grundproduktnummer | MRF7 |
| MRF7P20040HSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF7P20040HSR3 PDF - EN.pdf |




MRF7P20040HSR3
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von NXP Semiconductors Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MRF7P20040HSR3 ist ein dualer RF-LDMOS-FET, der für den Einsatz in effizienten Hochleistungsverstärkern bei 2,03 GHz entwickelt wurde.
Dual-Konfiguration, Frequenz von 2,03 GHz, Verstärkung von 18,2 dB, Spannungsfestigkeit von 65 V, Ausgangsleistung von 10 W
Hohe Effizienz und Leistungsfähigkeit, geeignet für Hochleistungsverstärker, zuverlässige und robuste Leistung
Der MRF7P20040HSR3 ist in dem Oberflächenmontagepaket NI-780S-4L verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für das Bauteil.
Das Produkt MRF7P20040HSR3 ist veraltet. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Hochleistungsverstärker, drahtlose Infrastruktur, Rundfunksender
Das offizielle Datenblatt für den MRF7P20040HSR3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.
Wir empfehlen Kunden, Angebote für den MRF7P20040HSR3 auf unserer Website anzufordern. Klicken Sie auf den Button ‚Angebot anfordern‘, um zu starten.
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
MRF7P20040HS FREESC
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
FET RF 65V 1.51GHZ NI780
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
FET RF 65V 1.51GHZ NI780
FET RF 65V 1.51GHZ NI780S
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