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| Artikelnummer: | MRF6V13250HSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 50 V |
| Spannung - Nennwert | 120 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780S |
| Serie | - |
| Leistung | 250W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-780S |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 22.7dB |
| Frequenz | 1.3GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 100 mA |
| Grundproduktnummer | MRF6 |
| MRF6V13250HSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF6V13250HSR3 PDF - EN.pdf |




RF MOSFET LDMOS 50V NI-780S
RF L BAND, N-CHANNEL
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S
FET RF 120V 1.3GHZ NI-780
FET RF 100V 1.4GHZ NI780
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S
FET RF 120V 1.3GHZ NI780
FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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MRF6V13250HSR3NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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