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| Artikelnummer: | MRF5S9080NBR1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 960MHZ TO-272-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 26 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-272 WB-4 |
| Serie | - |
| Leistung | 80W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-272BB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 18.5dB |
| Frequenz | 960MHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 600 mA |
| Grundproduktnummer | MRF5 |
| MRF5S9080NBR1 Einzelheiten PDF [English] | MRF5S9080NBR1 PDF - EN.pdf |




MRF5S9080NBR1
NXP Semiconductors / Freescale
Der MRF5S9080NBR1 ist ein RF-Leistungsmikrotransistor vom Typ LDMOS, der für den Einsatz in hoch effizienten und hochlinearitätsfähigen drahtlosen Infrastruktur-Anwendungen entwickelt wurde, die im Frequenzbereich um 900 MHz arbeiten.
LDMOS-Transistor-Technologie
Verstärkung von 18,5 dB
Betrieb bei 960 MHz
Nennspannung von 65 V und Ausgangsleistung von 80 W
Hohe Effizienz und Linearität für verbesserte Systemleistung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geeignet für den Einsatz in drahtloser Infrastruktur
TO-272 WB-4 Gehäuse
Tape & Reel (TR) Verpackung
Ideal für automatisierte Montageprozesse
Das MRF5S9080NBR1 ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine direkten Ersatzteile oder Alternativmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Ausstattung für drahtlose Infrastrukturen
RF-Leistungsverstärker
Basisstationen
Das aktuellste Datenblatt für den MRF5S9080NBR1 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für die neuesten Spezifikationen und technischen Details herunterzuladen.
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