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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-RFA3G26H502W17SR3
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

NXP USA Inc. A3G26H502W17SR3

Artikelnummer: A3G26H502W17SR3
Hersteller / Marke: NXP USA Inc.
Teil der Beschreibung.: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Datenblätte:
1.A3G26H502W17SR3.pdf ···
RoHs Status:
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Prüfung 48 V
    Spannung - Nennwert 125 V
    Technologie GaN
    Supplier Device-Gehäuse NI-780-4S2S
    Serie -
    Leistung 80W
    Verpackung / Gehäuse NI-780-4S2S
    Paket Tape & Reel (TR)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Rauschmaß -
    Befestigungsart Chassis Mount
    Gewinnen 13.1dB
    Frequenz 2.496GHz ~ 2.69GHz
    Aktuelle Bewertung (AMPs) -
    Strom - Test 370 mA
    Konfiguration 2 N-Channel
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
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    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
    Rücksendungen werden nach Ablauf von 60 Tagen nicht mehr akzeptiert. Zurückgesandte Artikel müssen sich in der Originalverpackung und in wiederverkaufsfähigem Zustand befinden. Rücksendungen aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt der Angebotserstellung oder des Kaufs werden nicht akzeptiert. Bitte kontaktieren Sie vor dem Versand den Kundenservice, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
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    Verpackung

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    2026/06/11

  • Sato***Electronics

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    2026/06/5

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    2026/04/28

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    2026/04/20

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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    2026/04/8

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