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| Artikelnummer: | SSS10N60B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7405 |
| 200+ | $0.2872 |
| 500+ | $0.277 |
| 1000+ | $0.2726 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tj) |
| SSS10N60B Einzelheiten PDF [English] | SSS10N60B PDF - EN.pdf |




SSS10N60B
Fairchild Semiconductor. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke Fairchild Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der SSS10N60B ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
9 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Geringer On-Widerstand (800 mΩ bei 4,5 A, 10 V)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 °C bis 150 °C)
Herausragende Leistungsfähigkeit
Zuverlässige und langlebige Performance
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Der SSS10N60B ist in einem TO-220F-3 Durchsteckgehäuse verpackt. Er besitzt 3 Pins und ist für die Montage auf Leiterplatten geeignet. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit.
Der SSS10N60B ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den SSS8N65B und SSS12N65B. Kunden werden empfohlen, sich auf unserer Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Wechselrichter
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Industriesteuerungen
Haushaltsgeräte
Das offiziellste Datenblatt für den SSS10N60B ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Leistungsdaten einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SSS10N60B auf unserer Website einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Spezialangebot, um das beste Angebot zu erhalten.
VBSEMI TO-220F
SSS10N60A FAI
SSS10N60 FSC
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