Deutsch

| Artikelnummer: | RFD16N05SM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6861 |
| 200+ | $0.2655 |
| 500+ | $0.2568 |
| 1000+ | $0.2524 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 72W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
| RFD16N05SM Einzelheiten PDF [English] | RFD16N05SM PDF - EN.pdf |




RFD16N05SM
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RFD16N05SM ist ein einzelner N-Kanal-Leistung-MOSFET in einem TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse. Er ist für verschiedene Anwendungen in der Leistungsverwaltung und Steuerung konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 50 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 16 A
Maximale On-Widerstand von 47 mΩ
Maximaler Gate-Ladungswert von 80 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Effiziente Energieverwaltung
Zuverlässige Leistung
Kompaktes und platzsparendes Design
Breiter Betriebstemperaturbereich
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage
Geeignet für unterschiedliche thermische und elektrische Anforderungen
Der RFD16N05SM ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über unsere Webseite für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren.
Stromkreismanagement
Motorsteuerung
Schaltnetzteile
Industrieund AutomobilElektronik
Das wichtigste Datenblatt für den RFD16N05SM ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RFD16N05SM auf unserer Webseite einzuholen. Jetzt Angebot anfordern, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFD16N05LSM-NL VB
FAIRCHILD TO252
16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
RFD16N05SLM HARRIS
VBSEMI TO252
N-CHANNEL POWER MOSFET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
RFD16N06 I
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
RFD16N05LSM96S5000 Original
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFD16N06L FSC
FAIRCHILD TO252
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
RFD16N05SMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|