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| Artikelnummer: | ISL9N318AD3ST |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4167 |
| 200+ | $0.1613 |
| 500+ | $0.1556 |
| 1000+ | $0.1529 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 55W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
| ISL9N318AD3ST Einzelheiten PDF [English] | ISL9N318AD3ST PDF - EN.pdf |




ISL9N318AD3ST
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke Fairchild Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der ISL9N318AD3ST ist ein N-Kanal-MOSFET aus der UltraFET®-Serie von Fairchild Semiconductor. Es handelt sich um einen leistungsstarken Oberflächenmontage-LeistungsmOSFET, der für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung entwickelt wurde.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 30 A bei 25°C
Niedrige On-Widerstand (Rds(on)) von 18 mΩ bei 30 A, 10 V
Enge Schwellen-Spannung (Vgs(th)) von 3 V bei 250 µA
Geringe Gate-Ladung (Qg) von 28 nC bei 10 V
Weites Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Leistung bei Stromumwandlung und Steuerung
Effizientes Energiemanagement mit niedrigen Leitungsverlusten
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen
Kompatibilität mit Standard-MOSFET-Ansteuerschaltungen und Steuerkreisen
Verpackt in einem TO-263AB (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
3 Anschlussleitungen + Tab für verbesserte thermische und elektrische Leistung
Geeignet für automatisierte Montageprozesse
Das ISL9N318AD3ST ist ein aktives Produkt
Es gibt gleichwertige oder alternative MOSFET-Modelle von Fairchild Semiconductor. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam.
Netzteile
Motorantriebe
Schaltregler
Automotive-Elektronik
Industrielle Steuerungssysteme
Das maßgebliche Datenblatt für den ISL9N318AD3ST finden Sie auf unserer Website. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
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ISL9N318AD3STFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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