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| Artikelnummer: | FQPF3N90 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1765 |
| 200+ | $0.4552 |
| 500+ | $0.4392 |
| 1000+ | $0.4319 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 1.05A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 43W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| FQPF3N90 Einzelheiten PDF [English] | FQPF3N90 PDF - EN.pdf |




FQPF3N90
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N-Kanal 900V, 2,1A (Tc), 43W (Tc) Durchgangsloch-MOSFET im TO-220F Gehäuse
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung von 900V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 2,1A bei 25°C
Leistungsaufnahme von 43W bei Tc
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Leistungsschaltfähigkeit
Zuverlässiges und langlebiges Durchgangsloch-Gehäuse
Rohrverpackung
TO-220-3 Vollverpackung
Durchgangsloch-Montage
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Dieses Produkt ist ein aktuelles und in Produktion befindliches Modell. Gleichwertige oder alternative Modelle sind erhältlich: Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
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