Fairchild Semiconductor FQPF2N70

Herstellerteilenummer

FQPF2N70

Hersteller

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 700 V, 2 A (Tc), 28 W (Tc), Durchgangsloch im TO-220F-Gehäuse

Schlüsselmerkmale

N-Kanal MOSFET

700 V Drain-Source-Spannung

2 A Dauer-Drain-Strom

28 W Leistungsaufnahme

Durchgangsloch im Gehäuse TO-220F

Wichtigste Vorteile

Robuste und zuverlässige Leistung

Hohe Spannungsund Stromkapazitäten

Effiziente Leistungssteuerung

Praktische Durchgangslochmontage

Verpackung

Verpackung: Vollverpackung im TO-220-3 Gehäuse

Verpackungstyp: Tube

Geräteverpackung: TO-220F

Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme 28 W (Tc)

Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V, Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25 °C 2 A (Tc), Rds On (max.) bei Id, Vgs 6,3 Ohm bei 1 A, 10 V, Vgs(th) (max.) bei Id 5 V bei 250 A, Gate-Ladung (Qg) (max.) bei Vgs 11 nC bei 10 V, Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 350 pF bei 25 V, Treiberspannung (max. Rds On, min. Rds On) 10 V, Vgs (max.) ±30 V

Lebenszyklus

Aktuelles Fertigungsmodell

Entsprechende oder alternative Modelle verfügbar, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen

Standardlieferzeit des Herstellers: 5 Wochen

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile

Motorsteuerungen

Automotive Electronics

Industrielle Steuerungssysteme

Datenblatt

Das authoritative Datenblatt für das Modell FQPF2N70 ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, dieses herunterzuladen.

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