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| Artikelnummer: | FQB5N50TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| FQB5N50TM Einzelheiten PDF [English] | FQB5N50TM PDF - EN.pdf |




FQB5N50TM
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N-Kanal 500V, 4,5A (Tc), 3,13W (Ta), 85W (Tc) Oberflächenmontierter DPAK (TO-263AB) MOSFET
N-Kanal MOSFET
500V Drain-Source-Spannung
4,5A Dauer-Drainstrom (Tc)
3,13W Leistungsaufnahme (Ta), 85W (Tc)
Oberflächenmontierter DPAK (TO-263AB) Gehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässiges Oberflächenmontage-Design
Coilund Bandverpackung (Tape & Reel, TR)
DPAK (TO-263AB) Oberflächenmontagegehäuse
3 Anschlüsse und eine Pinschleife
Geeignet für einen weiten Temperaturbereich (-55°C bis 150°C)
Hervorragende elektrische Eigenschaften für Leistungsanwendungen
Dieses Produkt ist derzeit erhältlich und befindet sich nicht im Auslauf.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
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