Deutsch

| Artikelnummer: | FQB27P06TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.3099 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 13.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQB27 |
| FQB27P06TM Einzelheiten PDF [English] | FQB27P06TM PDF - EN.pdf |




FQB27P06TM
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und stellt sicher, dass Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen erhalten.
Der FQB27P06TM ist ein P-Kanal-MOSFET in einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse, entwickelt für Leistungs-Schalt- und Verstärkungsanwendungen.
P-Kanal-MOSFET
60V Drain-Source-Spannung
27A Dauerlaststrom
70mΩ On-Widerstand
43nC Gate-Ladung
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Effizientes Leistungs-Schalten und Verstärken
Robuste thermische und elektrische Eigenschaften
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Das Produkt wird im Tape & Reel (TR) Format verpackt, mit einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse mit 2 Anschlüssen und einer Abschlusslasche.
Der FQB27P06TM ist ein aktiviertes Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie das FQB27P06VM und FQB27P06LD. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Lichtsteuerungen
Industrieelektronik
Das wichtigste technische Datenblatt für den FQB27P06TM ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen zu erhalten.
Kunden wird geraten, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
FAIRCHILD TO-263
FQB2N50C VB
MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
FQB2N50 VB
N-CHANNEL POWER MOSFET
250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL
FQB27N25 FAIRCHI
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
FQB2N60 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
FQB27P06 F
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/17
2024/04/27
2025/06/18
2025/01/26
FQB27P06TMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|