Deutsch

| Artikelnummer: | FQAF10N80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 166+ | $1.6921 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 113W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| FQAF10N80 Einzelheiten PDF [English] | FQAF10N80 PDF - EN.pdf |




FQAF10N80
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von Fairchild Semiconductor, der seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der FQAF10N80 ist ein Hochspannung-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 800V und einem Dauer-Drain-Strom von 6,7A bei 25°C von Gehäusetemperatur.
N-Kanal-MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
6,7A Dauer-Drain-Strom
QFET® Serie
Durchlochmontage
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geeignet für vielfältige Leistungsanwendungen
Zuverlässige und robuste Leistungsfähigkeit
Gehäusetyp: TO-3P-3 Komplettpaket
Durchlochmontage
Der FQAF10N80 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, unsere Verkaufsabteilung über unsere Website zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Schaltregler
Das offiziellste Datenblatt für den FQAF10N80 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und technische Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FQAF10N80 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
FQAF13N50 FAIRCHILD
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
FQAF10N80Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|