Deutsch

| Artikelnummer: | FQA7N80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 212+ | $1.3433 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 198W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.2A (Tc) |
| FQA7N80 Einzelheiten PDF [English] | FQA7N80 PDF - EN.pdf |




FQA7N80
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
N-Kanal 800V 7,2A (Tc) 198W (Tc) Durchstoß-Gehäuse TO-3P MOSFET
N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
7,2A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
198W Leistungsaufnahme bei Tc
Durchstoß-Gehäuse TO-3P
Hohe Spannungsund Leistungsfähigkeit
Zuverlässige Leistung
Eignet sich für verschiedene Leistungsanwendungen
Rohrverpackung
TO-3P-3, SC-65-3 Gehäuse
Durchkontaktierte Montage
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Dieses Produkt ist nicht vom Auslauf bedroht.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich:
- FQA9N80C
- FQA12N80
Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schweißgeräte
Industrielle Steuerungen
Das autoritative Datenblatt für den FQA7N80 finden Sie auf unserer Webseite. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot zu erfahren.
MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
FAIRCHILD TO-3P
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
FQA7N80Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|