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| Artikelnummer: | FQA10N80C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 240W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| FQA10N80C Einzelheiten PDF [English] | FQA10N80C PDF - EN.pdf |




FQA10N80C
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N-Kanal 800V, 10A (Tc), 240W (Tc) Leistungsdurchlass-Transistor mit Durchgangsloch im Gehäuse TO-3P
N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
10A Dauer-Gatestrom (Tc)
240W Leistungsaufnahme (Tc)
Durchgangsloch-Gehäuse TO-3P
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Hervorragende thermische Eigenschaften
Zuverlässiges und langlebiges Design
Verpackt in einer Tube
Gehäuse / Packung: TO-3P-3, SC-65-3
Durchgangsloch-Montage
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
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Für gleichwertige oder alternative Modelle kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen.
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Motorantriebe
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