Fairchild Semiconductor FGA20S125P

Herstellerteilenummer

FGA20S125P

Hersteller

Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Händler von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der FGA20S125P ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er verfügt über ein Trench-Feldstopp-Design und eignet sich für eine Vielzahl von leistungselektronischen Anwendungen.

Schlüsselmerkmale

– Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch (max.): 1250 V\n– Kollektor-Strom (Ic) (max.): 40 A\n– Puls-Strom (Icm): 60 A\n– Vce(on) (max.) bei Vge, Ic: 2,5 V bei 15 V, 20 A\n– Maximalleistung: 250 W\n– Gatterladung: 129 nC\n– Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit\n– Geringe on-State-Spannungsabfälle\n– Zuverlässige und effiziente Energieumwandlung\n– Geeignet für verschiedene Leistungsanwendungen

Verpackung

Der FGA20S125P ist in einem TO-3P-3, SC-65-3 Durchsteckgehäuse verpackt.

Lebenszyklus

Der FGA20S125P ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Webseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu geeigneten Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Netzteile\n– Motorsteuerungen\n– Wechselrichter\n– Schweißgeräte\n– Industrielle Automatisierung

Datenblatt

Das neueste Datenblatt für den FGA20S125P ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.

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