Deutsch

| Artikelnummer: | FDD6N25TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1807 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
| FDD6N25TM Einzelheiten PDF [English] | FDD6N25TM PDF - EN.pdf |




FDD6N25TM
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDD6N25TM ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er zeichnet sich durch eine geringe On-Widerstandsfähigkeit und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungssteuerung und Schaltungstechnik geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
250V Drain-Source-Spannung
4,4A Dauer-Durchlassstrom
Maximaler On-Widerstand von 1,1Ω
Schnelle Schaltzeiten
Effizientes Energiemanagement
Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit
Zuverlässige und langlebige Leistung
Der FDD6N25TM ist in einem TO-252-3 Gehäuse verbaut, auch DPAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63 Oberflächenmontage. Er kann bei einer Gehäusetemperatur von 25°C bis zu 50W dissipieren.
Der FDD6N25TM ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, sich über unsere Vertriebsseite über gleichwertige oder alternative Modelle zu informieren.
Netzteile
Motoransteuerungen
Schaltregler
Verstärker
Automobilelektronik
Das offiziellste Datenblatt für den FDD6N25TM ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote über unsere Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder informieren Sie sich über dieses Produkt, bevor unsere zeitlich begrenzte Aktion endet.
FDD6N50 FSC
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FDD6N50F FAIRCHI
MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FDD6N20 FAIRCHILD
FDD6N25 FAIRCHILD
6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
FDD6N25TMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|