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| Artikelnummer: | FDD6676AS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 307+ | $0.9118 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 70W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Ta) |
| FDD6676AS Einzelheiten PDF [English] | FDD6676AS PDF - EN.pdf |




FDD6676AS
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N-Kanal 30V, 90A (Ta), 70W (Ta) Oberflächenmontage TO-252
N-Kanal MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
90A Dauer-Durchlassstrom bei 25°C
70W Leistungsaufnahme bei 25°C
Oberflächenmontierte Verpackung im TO-252-Gehäuse
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Leistungstransformation
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Reels in Band & Bahn (TR)
Gehäusetyp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Oberflächenmontiertes Gehäuse
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FDD6676ASFairchild Semiconductor |
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