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| Artikelnummer: | FDD6670AS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.3783 |
| 200+ | $0.5336 |
| 500+ | $0.5151 |
| 1000+ | $0.5065 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 70W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1580 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 76A (Ta) |
| FDD6670AS Einzelheiten PDF [English] | FDD6670AS PDF - EN.pdf |




FDD6670AS
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal 30V, 76A (bei Ta), 70W (bei Ta) Oberflächenmontage TO-252
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 76A bei 25°C
Leistungsaufnahme von 70W bei 25°C
Oberflächenmontagegehäuse TO-252
Hohe Strombelastbarkeit
Niediger On-Widerstand
Effizientes Energiemanagement
Zuverlässiges Oberflächenmontage-Design
Digi-Reel-Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63-Gehäuse
Oberflächenmontagekonzept
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Der FDD6670AS ist ein aktives Produkt ohne Hinweise auf eine bevorstehende Einstellung. Alternativ- oder gleichwertige Modelle sind erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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