Deutsch
| Artikelnummer: | FDB38N30U |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 300V 38A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.6988 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 313W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 38A (Tc) |
| FDB38N30U Einzelheiten PDF [English] | FDB38N30U PDF - EN.pdf |




FDB38N30U
onsemi (Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen)
Der FDB38N30U ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der durch seinen niedrigen On-Widerstand und den Betrieb bei hohen Spannungen überzeugt. Er eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 300V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 38A
Maximaler On-Widerstand von 120mΩ
Schnelle Schaltfähigkeit
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effiziente Stromumwandlung und -steuerung
Zuverlässige Leistung bei Hochspannungsanwendungen
Hervorragende thermische Eigenschaften für die Wärmeableitung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungselektronik-Designs
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
2 Anschlüsse + Tab-Konfiguration
Geeignet für Hochleistungsund Hochspannungsanwendungen
Das Produkt FDB38N30U ist ein aktives Bauteil
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar:
- FDB38N30D
- FDB38N30SDFIC
Kunden können sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Website wenden
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industriesteuerungen
Automotive-Elektronik
Das umfassendste Datenblatt für den FDB38N30U ist auf unserer Website verfügbar. Es wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot für den FDB38N30U auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FDB42AN15 FAIRCHILD
VBSEMI DPAK
FAIRCHILD TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel
2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
FDB38N30UFAIRCHILD |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|