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| Artikelnummer: | SM6S33AHE3/2D |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ) | 33V |
| Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 53.3V |
| Spannung - Aufteilung (min.) | 36.7V |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Art | Zener |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-218AB |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Stromleitungsschutz | No |
| Power - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | DO-218AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs) | 86A |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Grundproduktnummer | SM6S33 |
| Anwendungen | Automotive |
| SM6S33AHE3/2D Einzelheiten PDF [English] | SM6S33AHE3/2D PDF - EN.pdf |




SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductors ist ein renommierter Hersteller, und Y-IC ist ein hochwertiger Distributor ihrer Produkte, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der SM6S33AHE3/2D ist eine unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) Zener-Diode aus Vishays PAR®-Serie. Er ist konzipiert, um elektronische Schaltungen vor schädlichen Spannungsspitzen und transienten Spannungen zu schützen.
Unidirektionale Zener-Diode mit 1 Kanal
Reverse Standoff Voltage (Typ): 33V
Durchbruchspannung (Min): 36,7V
Abschnappspannung (Max) bei Spitzenpulsstrom: 53,3V
Spitzenpulsstrom (10/1000μs): 86A
Spitzenpulsleistung: 4600W (4,6kW)
Effektiver Schutz gegen Spannungsspitzen und transienten Überspannungen
Robustes Design für Automotiveund Industrieanwendungen
Kompakte Oberflächenmontageverpackung (DO-218AB)
Qualifiziert nach AEC-Q101-Standard für den Automobilbereich
Der SM6S33AHE3/2D ist in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ DO-218AB verpackt.
Der SM6S33AHE3/2D ist ein auslaufendes Produkt. Kunden wird geraten, sich auf unserer Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Der SM6S33AHE3/2D eignet sich für Anwendungen, die Schutz gegen Spannungsspitzen und transienten Überspannungen erfordern, wie in der Automobiltechnik und industriellen Elektronik.
Das aktuellste Datenblatt für den SM6S33AHE3/2D ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SM6S33AHE3/2D auf unserer Website anzufordern. Erhalten Sie jetzt ein Angebot, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und zuverlässiger Lieferung zu profitieren.
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
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TVS DIODE 33V 59V DO218AB
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TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
4.6KW SURFACE MOUNT TRANSIENT VO
TVS DIODE 33VWM 59VC DO218AB
TVS DIODE 36VWM 64.3VC DO218AB
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SM6S33 VISHAY
PANJIT DO-218AB
TVS DIODE 33VWM 59VC DO218AB
TVS DIODE 33V 59V DO218AB
TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
Interface
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
SM6S36 VISHAY
TVS DIODE 30VWM 53.5VC DO218AB
TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
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SM6S33AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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