Deutsch

| Artikelnummer: | SF10DG-A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-41 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
| Verpackung / Gehäuse | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Box (TB) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | SF10DG |
| SF10DG-A Einzelheiten PDF [English] | SF10DG-A PDF - EN.pdf |




MITSUBISHI New
DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
MITSUBISHI New
NO New
DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
IGBT Modules
TOSHIBA New
TOSHIBA New
MITSUBISHI New
DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
SF10D300D2 AUK
LEM New
Superfast Recovery Rectifier DO-
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
IGBT Modules
TOSHIBA New
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/30
2024/04/27
2025/01/21
2024/11/13
SF10DG-ADiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|