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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMTH8012LPSQ-13
Diodes Incorporated
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13

Artikelnummer: DMTH8012LPSQ-13
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Datenblätte:
1.DMTH8012LPSQ-13.pdf ···

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Dev 04/Dec/2020.pdf

Datenblätter

DMTH8012LPSQ.pdf

DMTH8012LPSQ-13 Seite PDF

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8
    Serie Automotive, AEC-Q101
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 12A, 10V
    Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 136W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2051 pF @ 40 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46.8 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 72A (Tc)
    Grundproduktnummer DMTH8012
    DMTH8012LPSQ-13 Einzelheiten PDF [English] DMTH8012LPSQ-13 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

DMTH8012LPSQ-13 Produktdetails

Herstellerteilenummer

DMTH8012LPSQ-13

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber von Dioden-Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der DMTH8012LPSQ-13 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 80 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 10 A bei 25°C (Ta) bzw. 72 A bei 100°C (Tc).

Schlüsselmerkmale

N-Kanal-MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vdss) von 80 V

Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 10 A bei 25°C (Ta)

Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 72 A bei 100°C (Tc)

Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 17 mOhm bei 12 A, 10 V

Maximale Gate-Ladung (Qg) von 46,8 nC bei 10 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V

Maximale Eingangs-Kapazität (Ciss) von 2051 pF bei 40 V

Leistungsaufnahme von 2,6 W bei 25°C (Ta), 136 W bei 100°C (Tc)

Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C

Automobilqualität (AEC-Q101 qualifiziert)

Oberflächenmontagegehäuse (PowerDI5060-8)

Wichtigste Vorteile

Hohe Leistungsfähigkeit

Niedriger Rds(on) für effiziente Stromumwandlung

Geeignet für Automobilund Industrieanwendungen

Robustes Design für zuverlässigen Betrieb

Verpackung

Der DMTH8012LPSQ-13 ist in einem 8-poligen PowerTDFN-Gehäuse (Thermisch verbessertes Dual Flat No-Lead) für Oberflächenmontage verpackt. Das Gehäuse bietet eine effiziente Wärmeableitung und elektrische Eigenschaften, die die Leistung des Bauteils unterstützen.

Lebenszyklus

Der DMTH8012LPSQ-13 ist ein aktives Produkt. Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden gebeten, direkt mit unserem Verkaufsteam auf unserer Webseite Kontakt aufzunehmen, um weitere Informationen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Fahrzeugtechnik

Industrielle Stromversorgungen

Motorsteuerung

Schaltnetzteile

Datenblatt

Das maßgebliche Datenblatt für den DMTH8012LPSQ-13 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für vollständige technische Details herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden gebeten, Angebote für den DMTH8012LPSQ-13 direkt auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.

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Benutzerbewertung

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    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

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  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

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    2026/03/23

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    2026/03/20

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