Deutsch

| Artikelnummer: | DMT10H014LSS-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0933 |
| 200+ | $0.4368 |
| 500+ | $0.4227 |
| 1000+ | $0.4158 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMT10 |
| DMT10H014LSS-13 Einzelheiten PDF [English] | DMT10H014LSS-13 PDF - EN.pdf |




DMT10H014LSS-13
Diodes – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke Diodes und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der DMT10H014LSS-13 ist ein N-Kanal-MOSFET von Diodes. Es handelt sich um ein Oberflächenmontagebauteil in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154"; 3,90 mm Breite).
N-Kanal-MOSFET
100 V Drain-Source-Spannung
8,9 A Dauerförderstrom
Maximaler On-Widerstand von 15 mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 33,3 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
AEC-Q101 zertifiziert
Hohe Leistungsdichte
Effiziente Schaltleistung
Zuverlässiger Betrieb im Automotive-Bereich
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SOIC-Gehäuse (0,154"; 3,90 mm Breite)
Das Produkt DMT10H014LSS-13 ist aktiv.
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar:
- DMT10H012LSS-13
- DMT10H016LSS-13
Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Automotive Elektronik
Netzteile
Motorantriebssysteme
Industrieautomatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den DMT10H014LSS-13 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für die neuesten Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot, um mehr über dieses Produkt zu erfahren und von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
DMT10H014LSS DIODES
DMT10H010LSS DIODES
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
MOSFET N-CH 100V 54A TO252
DMT10H015LSS DIODES
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2026/06/7
2026/06/7
2026/06/5
2026/06/5
DMT10H014LSS-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|