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| Artikelnummer: | DMN2022UFDF-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2923 |
| 200+ | $0.1167 |
| 500+ | $0.1127 |
| 1000+ | $0.1108 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 660mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 907 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN2022 |
| DMN2022UFDF-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN2022UFDF-13 PDF - EN.pdf |




DMN2022UFDF-13
Diodes Incorporated - Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Diodes Incorporated-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMN2022UFDF-13 ist ein N-Kanal-MOSFET aus dem Sortiment von Diodes Incorporated. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Dauerstrom (Id) 7,9A bei 25°C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) 22mΩ bei 4A, 4,5V
Maximale Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) 1V bei 250µA
Maximale Gate-Ladung (Qg) 18nC bei 8V
Maximale Eingangskapazität (Ciss) 907pF bei 10V
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Kompaktes Gehäuse für platzsparende Designs
Hervorragende thermische Leistungsfähigkeit
Gehäuse: 6-UDFN Exposed Pad
Lieferung in Tape & Reel (TR)
Lieferantengehäuse: U-DFN2020-6
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Gefahr, eingestellt zu werden.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, z. B. DMN2035UFDF-7 und DMN2022UFDF-13.
Für weitere Informationen zu Alternativmodellen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Stromversorgungsschaltungen
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Batterieladegeräte
LED-Treiber
Das autoritative Datenblatt für den DMN2022UFDF-13 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
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DMN2020LSN DIODES
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MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
DMN2017UFDE-7 DIODES
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MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
DIODES TSSOP-8
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DMN2022UFDF-13Diodes Incorporated |
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Zielpreis (USD)
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