Deutsch

| Artikelnummer: | DMG8880LSS-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.43W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1289 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.6A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMG8880 |
| DMG8880LSS-13 Einzelheiten PDF [English] | DMG8880LSS-13 PDF - EN.pdf |




DMG8880LSS-13
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Diodes-Marke. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen an.
Der DMG8880LSS-13 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Diodes. Er zeichnet sich durch geringe On-Widerstände und schnelle Schalteigenschaften aus, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Energieverwaltungs- und Schaltanwendungen eignet.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
11,6A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 10mΩ
Maximaler Gate-Schwellenwert von 2V
Maximaler Gate-Ladung von 27,6nC
Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Schnelle Schaltfähigkeit für eine bessere Systemleistung
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Geeignet für vielfältige Energieverwaltungsund Schaltanwendungen
Der DMG8880LSS-13 ist in einem Oberflächenmontage-Gehäuse vom Typ 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) verpackt.
Das Produkt DMG8880LSS-13 ist nicht mehr erhältlich. Kunden werden gebeten, unsere Vertriebsabteilung über unsere Webseite für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren.
Stromversorgungen
DC-DC-Wandler
Motorantriebe
Schaltnetzteile
Allgemeine Strom-Schaltanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den DMG8880LSS-13 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebot über unsere Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Aktionsangebot zu profitieren.
DMG8880LK3 D
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
VBSEMI TSSOP8
DMG963H1 Panasoni
DMG8880LSS DIODES
DMG8822UTS DIODES
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6
DIODES QFN
DMG963H10M4 PANASONIC
MOSFET N-CH 30V 11A TO252
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
DMG963030M4 PANASON
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
DMG8880LSS-13-F DIODES
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
DIODES SOP-8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/02/16
2024/05/16
2024/12/4
2025/01/26
DMG8880LSS-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|