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| Artikelnummer: | CY62256L-70SNC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 70ns |
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse | 28-SOIC |
| Serie | MoBL® |
| Verpackung / Gehäuse | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 256Kbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | CY62256 |
| Zugriffszeit | 70 ns |
| CY62256L-70SNC Einzelheiten PDF [English] | CY62256L-70SNC PDF - EN.pdf |




CY62256L-70SNC
Infineon Technologies
Das CY62256L-70SNC ist ein volatile 256-Kbit-SRAM-Speicherbaustein mit paralleler Schnittstelle und asynchroner Technologie.
256Kbit Speicherkapazität
32K x 8 Speicherorganisation
Parallele Speicherschnittstelle
Asynchrone SRAM-Technologie
Schreibzykluszeit und Zugriffszeit von 70ns
Versorgungsspannung von 4,5V bis 5,5V
Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 70°C
Hochdichter SRAM für eingebettete Anwendungen
Schnelle Zugriffsund Schreibgeschwindigkeiten
Breiter Arbeitsspannungsund Temperaturbereich
Oberflächenmontage-Gehäuse für platzsparendes Design
28-SOIC-Gehäuse (0,295 Zoll, 7,50 mm Breite) für Oberflächenmontage
Standard-SOIC-Gehäuse mit gewohnter Dimension und Pin-Konfiguration
Geeignet für allgemeine Elektronik-Anwendungen
Dieses Produkt ist nicht mehr erhältlich
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Eingebettete Systeme
Industrielle Automatisierung
Telekommunikationsgeräte
Unterhaltungselektronik
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IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
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