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| Artikelnummer: | IRG4BC30FD-STRR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 31A 100W D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Testbedingung | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 42ns/230ns |
| Schaltenergie | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 42 ns |
| Leistung - max | 100 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 51 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 31 A |
| IRG4BC30FD-STRR Einzelheiten PDF [English] | IRG4BC30FD-STRR PDF - EN.pdf |




IRG4BC30FD-STRR
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRG4BC30FD-STRR ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon Technologies, entwickelt für Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen.
– 600V Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (Bvceo)
– 31A Kollektorstrom (Ic)
– 120A momentaner Kollektorstrom (Icm)
– 1,8V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(on)) bei 15V Gate-Emitter-Spannung und 17A Kollektorstrom
– 100W Strombelastbarkeit (Pd)
– 630μJ Einschalt-Schaltenergie (Eon), 1,39mJ Ausschalt-Schaltenergie (Eoff)
– Standard Eingangstyp
– 51nC Gate-Ladung (Qg)
– 42ns Einschaltverzögerungszeit (td(on)), 230ns Abschaltverzögerungszeit (td(off))
– 42ns Sperrruheszeit (trr)
– Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C (TJ)
– Hohe Leistungsfähigkeit
– Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
– Zuverlässige Leistung bei Hochspannungs- und Hochstromanwendungen
– Kompakte SMD-Gehäuse
Der IRG4BC30FD-STRR ist in einem TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühltab), TO-263AB Oberflächenmontagegehäuse verpackt.
Der IRG4BC30FD-STRR ist ein Auslaufmodell. Kunden sollten unser Vertriebsteam über die Webseite kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Produkten zu erhalten.
– Netzteile
– Motorantriebe
– Wechselrichter
– Schweißgeräte
– Industrielle Automatisierung
Das offizielle Datenblatt für den IRG4BC30FD-STRR ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IRG4BC30FD-STRR auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IRG4BC30FDSTRPBF IR
IRG4BC30FPBF. IR
IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
IR TO-263
IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
IRG4BC30FD-STRRP IR
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
IGBT 600V 31A TO220AB
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
IRG4BC30FDS IR
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
IRG4BC30FD IR
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
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