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| Artikelnummer: | IRF7493PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $10.03 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 5.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1510 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.3A (Tc) |
| IRF7493PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF7493PBF PDF - EN.pdf |




IRF7493PBF
Infineon Technologies
Der IRF7493PBF ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9,3 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 80 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 9,3 A bei 25 °C
HEXFET®-Serie
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Geringer On-Widerstand für geringe Energieverluste
Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen
Oberflächenmontage in 8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90 mm Breite)
Keine Pinspezifikationen angegeben
Der IRF7493PBF ist bei Digi-Key nicht mehr erhältlich. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
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