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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R299CPXKSA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1

Artikelnummer: IPP60R299CPXKSA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Datenblätte:
1.IPP60R299CPXKSA.pdf ···

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  • Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3
    Serie CoolMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
    Verlustleistung (max) 96W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3
    Paket Tube
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)
    Grundproduktnummer IPP60R299
    IPP60R299CPXKSA1 Einzelheiten PDF [English] IPP60R299CPXKSA1 PDF - EN.pdf
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    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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