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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC082N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC082N10LSGATMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1

Artikelnummer: BSC082N10LSGATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Datenblätte:
1.BSC082N10LSGATM.pdf ···

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  • Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 110µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1
    Serie OptiMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 100A, 10V
    Verlustleistung (max) 156W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.8A (Ta), 100A (Tc)
    Grundproduktnummer BSC082
    BSC082N10LSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSC082N10LSGATMA1 PDF - EN.pdf
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    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

BSC082N10LSGATMA1 Produktdetails

Herstellerteilenummer

BSC082N10LSGATMA1

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Das Modell BSC082N10LSGATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauer-Durchlassstrom von 13,8A bei 25°C sowie 100A bei 100°C.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung von 100V\nKontinuierlicher Drain-Strom von 13,8A bei 25°C, 100A bei 100°C\nGeringer On-Widerstand von 8,2mΩ bei 100A, 10V\nEnge Schwellenspannung von 2,4V bei 110µA\nGeringe Gate-Ladung von 104nC bei 10V

Wichtigste Vorteile

Hohe Effizienz und geringe Energieverluste\nVielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsanwendungen\nZuverlässige und langlebige Leistung

Verpackung

Tapes & Reels (TR) Verpackung\n8-PowerTDFN-Gehäuse\nOberflächenmontagetechnologie

Lebenszyklus

Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen. Es sind jedoch Ersatz- oder Alternativmodelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile\nMotorsteuerungen\nWechselrichter\nIndustrieund Unterhaltungs-Elektronik

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den BSC082N10LSGATMA1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, Angebote für den BSC082N10LSGATMA1 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.

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Benutzerbewertung

  • Powe***b_Engineer

    Excellent power MOSFET for high-voltage switching applications. Switching characteristics are predictable and device temperatures stayed within limits.

    2026/06/15

  • Marc***lectronics

    This FPGA has been working well in an image processing application. Configuration completed successfully and I have not experienced any reliability issues.

    2026/06/11

  • Sato***Electronics

    Reliable DSP controller for motor and signal applications. Performance remained stable and integration with existing hardware was straightforward.

    2026/06/5

  • FPGA***ris

    This FPGA worked exactly as expected. Used for signal processing and high-speed data control. Configuration completed without issues and timing closure was easier than expected.

    2026/05/28

  • Robe***lark

    Excellent MCU for real-time control and power applications. Stable and fast processing.

    2026/05/22

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

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    2026/03/20

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    2026/03/4

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    2026/02/28

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