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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedBCR183E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR183E6433HTMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies BCR183E6433HTMA1

Artikelnummer: BCR183E6433HTMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Datenblätte:
1.BCR183E6433HTMA.pdf ···

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  • Infineon Technologies BCR183E6433HTMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies BCR183E6433HTMA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
    Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
    Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
    Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
    Leistung - max 200 mW
    Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Tape & Reel (TR)
    Befestigungsart Surface Mount
    Frequenz - Übergang 200 MHz
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA
    Grundproduktnummer BCR183
    BCR183E6433HTMA1 Einzelheiten PDF [English] BCR183E6433HTMA1 PDF - EN.pdf
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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

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