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| Artikelnummer: | CSD10060G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | CREE |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263-2 |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns |
| Teilstatus | Obsolete |
| Verpackung | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 200µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 16.5A |
| Kapazität @ Vr, F | 550pF @ 0V, 1MHz |
| CSD10060G Einzelheiten PDF [English] | CSD10060G PDF - EN.pdf |




CSD10060G
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Der CSD10060G ist eine Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode in einem D2PAK-Gehäuse (2 Anschlüsse + Kühlfahne). Sie zeichnet sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten ohne Rückwärtswelligkeit, einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall und eine hohe Durchbruchspannung aus.
SiC-Schottky-Diodentechnologie
Schnelle Schaltgeschwindigkeit ohne Rückwärtswelligkeit
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Hohe Umkehrspannung von 600V
Effiziente Stromumwandlung durch niedrigen Vorwärtsspannungsabfall
Verbesserte Systemzuverlässigkeit und Leistung durch schnelles Schalten
Kompaktes Design dank des D2PAK-Gehäuses
Gehäuse: TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB
Lieferanten-Device-Gehäuse: TO-263-2
Thermische und elektrische Eigenschaften geeignet für Hochleistungsanwendungen
Dieses Produkt ist veraltet
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Netzteile
Motorantriebe
Systeme für erneuerbare Energien
Industrielle Automatisierung
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