Deutsch

| Artikelnummer: | BLF647P,112 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Ampleon |
| Teil der Beschreibung.: | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $137.5915 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 32 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | LDMOST |
| Serie | - |
| Leistung | 200W |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-1121A |
| Paket | Tray |
| Rauschmaß | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 18dB |
| Frequenz | 1.3GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 100 mA |
| Konfiguration | Dual, Common Source |
| Grundproduktnummer | BLF647 |
| BLF647P,112 Einzelheiten PDF [English] | BLF647P,112 PDF - EN.pdf |




BLF647P,112
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Ampleon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der BLF647P,112 ist ein Hochleistungs-LDMOS-HF-Leistungstransistor des Herstellers Ampleon, der für verschiedene HF- und Mikrowellenanwendungen entwickelt wurde.
- Doppelkonfiguration mit gemeinsamer Quelle
- Betriebsfrequenz von 1,3 GHz
- Verstärkung von 18 dB
- Maximalspannung von 65 V
- Maximalleistung von 200 W
- Hervorragende Leistungsverarbeitung und Effizienz
- Zuverlässige und robuste LDMOS-Technologie
- Geeignet für eine Vielzahl von HF-Anwendungen
- Lieferung im Tray-Verpackung
- SOT-1121A-Gehäuse
- LDMOST-Gehäusetyp
- Für Chassis-Montage geeignet
- Der BLF647P,112 ist ein aktives Produkt
- Es sind keine direkten Ersatz- oder Alternativmodelle erhältlich
- Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu kontaktieren
- Hochleistungs-HF-Verstärker
- Rundfunksender
- Wireless-Infrastrukturgeräte
- Industrielle und wissenschaftliche Anwendungen
Das offizielle Datenblatt für den BLF647P,112 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den BLF647P,112 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot.
RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
BLF647 - UHF POWER LDMOS TRANSIS
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
BLF647P NXP
RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
BLF647PS NXP
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
BLF647A NXP
NXP SOT502B
RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
RF MOSFET LDMOS 32V SOT467C
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
BROADBAND POWER LDMOS TRANSISTOR
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A
BLF6G10-135RN NXP
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
BLF647P,112Ampleon USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|