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| Artikelnummer: | FQD10N20TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5005 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD1 |
| FQD10N20TF Einzelheiten PDF [English] | FQD10N20TF PDF - EN.pdf |




FQD10N20TF
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal MOSFET mit 200V Drain-Source-Spannung, 7,6A Dauerstrom (Tc), 2,5W Leistungsaufnahme (Ta) und 51W (Tc), Gehäuse: D-Pak Oberfläche montiert.
N-Kanal MOSFET
200V Drain-Source-Spannung
7,6A Dauerstrom (Tc)2,5W Leistungsaufnahme (Ta), 51W (Tc)
Oberfläche montiertes D-Pak Gehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Leistungsschaltung
Kompaktes Design durch Oberfläche montiertes Gehäuse
Rollen& Streifenverpackung (Tape & Reel, TR)
Gehäusetyp: TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlpad), SC-63
Oberfläche montiertes Gehäuse
Dieses Produkt ist aktiv und lieferbar.
Entsprechende oder alternative Modelle:
- FQD10N20L
- FQD10N20TM
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