Deutsch
| Artikelnummer: | AOU3N50 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.209 |
| 50+ | $0.1664 |
| 150+ | $0.148 |
| 500+ | $0.1252 |
| 2500+ | $0.115 |
| 5000+ | $0.109 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 57W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | AOU3 |
| AOU3N50 Einzelheiten PDF [English] | AOU3N50 PDF - EN.pdf |




AOU3N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von Alpha & Omega Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
Der AOU3N50 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET in einem TO-251-3 Gehäuse. Er eignet sich für den Einsatz in Netzteilen, Motortreibern und anderen Hochspannungsanwendungen.
N-Kanal-MOSFET
500 V Drain-Source-Spannung
2,8 A Dauerentladungsstrom
Maximaler On-Widerstand von 3Ω
Maximaler Gate-Ladung von 8 nC
Gehäuse im TO-251-3-Format
Hohe Durchbruchsspannung für Hochspannungsanwendungen
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromwandlung
Kompaktes TO-251-3-Gehäuse für platzbeschränkte Designs
TO-251-3 Kurzfüße, IPak, TO-251AA-Gehäuse
Durchlochmontage
Das Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen
Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Netzteile
Motortreiber
Hochspannungsanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den AOU3N50 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt mit vollständigen technischen Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den AOU3N50 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem Expertenservice zu profitieren.
AOS TO-251
AOS TO-251
MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
AOS TO-251
AOS TO-251
AOS TI251
AO TO-251
AOS TO-251
AO TO-251
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
A TO-251
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
AOS TO-251
AOS TO-251
AOS TO-251
MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
AOS to251
AOS TO-251
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
AOU3N50Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|