Deutsch
| Artikelnummer: | AONR21357 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7708 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN-EP (3x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 5W (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2830 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Ta), 34A (Tc) |
| Grundproduktnummer | AONR213 |




AONR21357
Y-IC ist ein Qualitäts-Distributor von Produkten von alpha-and-omega-semiconductor, einem führenden Hersteller hochleistungsfähiger Halbleiterlösungen.
Der AONR21357 ist ein Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 34 A (bei Tc).
– P-Kanal-MOSFET
– 30 V Drain-Source-Spannung
– 21 A Dauer-Drain-Strom (bei Ta) und 34 A Dauer-Drain-Strom (bei Tc)
– Geringer On-Widerstand von 7,8 mΩ (bei 20 A, 10 V)
– Gate-Ladung von 70 nC (bei 10 V)
– Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
– Hervorragende thermische Leistung für effizientes Leistungsmanagement
– Geringer On-Widerstand für niedrige Energieverluste und hohe Effizienz
– Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
– Tape & Reel (TR)-Verpackung
– 8-DFN-EP (3x3)-Gehäuse
– 8-PowerVDFN-Gehäuse
Der AONR21357 ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
– Hochleistungs- und Effizienz-Anwendungen
– Motorsteuerung
– Netzteile
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den AONR21357 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren!
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
MOSFET
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
ASYMMETRIC N
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
N
30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
MOSFET N-CH 30V 17A/30A 8DFN
MOSFET P-CH 30V 8DFN
N
MOSFET N-CH 30V 48A/50A 8DFN
N
DUAL N
COMPLEMENTARY
SINGLE
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2026/06/5
2026/06/5
2026/06/5
2026/06/5
AONR21357Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|