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| Artikelnummer: | FCPF190N60E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2337 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 39W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FCPF190 |
| FCPF190N60E Einzelheiten PDF [English] | FCPF190N60E PDF - EN.pdf |




FCPF190N60E
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N-Kanal 600V, 20,6A (Tc), 39W (Tc), Durchgangsloch, TO-220F-3 Gehäuse
N-Kanal-MOSFET
600VDrain-Source-Spannung
20,6A Dauer-Sourcingstrom (Tc)
39W Leistungsaufnahme (Tc)
Durchgangslochgehäuse TO-220F-3
Zuverlässiger und effizienter Leistungsschalter
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen
Verpackt in Tube
Gehäuse: TO-220F-3
Bleifrei / RoHS-konform
Dieses Produkt steht nicht vor dem Ende der Lebensdauer. Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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