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| Artikelnummer: | RHRP8120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9146 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2 V @ 8 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-2L |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 70 ns |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Strom - Richt (Io) | 8A |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | RHRP81 |
| RHRP8120 Einzelheiten PDF [English] | RHRP8120 PDF - EN.pdf |




RHRP8120
onsemi
Der RHRP8120 ist eine Einphasen-Schnellwiderstandsdiode in einem TO-220-2-Gehäuse. Sie wurde für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Netzteilanwendungen entwickelt.
Hohe Spannungsfestigkeit von 1200 V
Hoher Durchschnittswiderstandsstrom von 8 A
Schnelle Erholzeit von 70 ns
Geringer Vorwärtsspannungsabfall von 3,2 V bei 8 A
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässiges und robustes Design
Röhrchenverpackung
Durchsteckgehäuse TO-220-2
Abmessungen: -
Pin-Konfiguration: -
Thermische Eigenschaften: -
Elektrische Eigenschaften: -
Dieses Produkt nähert sich dem Auslaufdatum.
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Stromumwandlung
Netzteile
Industrielle Geräte
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