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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS5C442NLAFT3G
onsemi
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

onsemi NVMFS5C442NLAFT3G

Artikelnummer: NVMFS5C442NLAFT3G
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor/onsemi
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Datenblätte:
1.NVMFS5C442NLAFT.pdf ···

Umweltinformationen

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

Datenblätter

NVMFS5C442NL.pdf

PCN -Design/Spezifikation

NVMFS5C4 15/May/2017.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Wafer Fab Transfer 07/Sep/2021.pdf

NVMFS5C442NLAFT3G Seite PDF

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RoHs Status:
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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • onsemi NVMFS5C442NLAFT3G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi NVMFS5C442NLAFT3G .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    Serie Automotive, AEC-Q101
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V
    Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 83W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 130A (Tc)
    Grundproduktnummer NVMFS5
    NVMFS5C442NLAFT3G Einzelheiten PDF [English] NVMFS5C442NLAFT3G PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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    Versandrate
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

NVMFS5C442NLAFT3G Produktdetails

Herstellerteilenummer

NVMFS5C442NLAFT3G

Hersteller

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Detaillierte Beschreibung

N-Kanal MOSFET mit 40V Spannung, 29A Dauerstrom (bei Umgebungstemperatur) und 130A bei Betriebstemperatur. Leistungsaufnahme von 3,7W (bei Umgebungstemperatur) bzw. 83W (bei Betriebstemperatur). Oberflächenmontage im 5-DFN Gehäuse (5x6 mm) mit 8-SOFL Gehäuseart.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal MOSFET

40V Drain-Source-Spannung

29A (Ta) / 130A (Tc) Dauerstrom

3,7W (Ta) / 83W (Tc) Verlustleistung

Oberflächenmontage im 5-DFN (5×6 mm) Gehäuse (8-SOFL)

Wichtigste Vorteile

Geeignet für Hochleistungsund Effizienz-Anwendungen

Hervorragende thermische und elektrische Leistungsfähigkeit

Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse

Verpackung

Spule & Band-Verpackung (Tape & Reel, TR)

5-DFN Gehäuse (5×6 mm, 8-SOFL)

Bleifreie und RoHS-konforme Ausführung

Lebenszyklus

Dieses Produkt befindet sich nicht in der Einstellungsphase oder droht keine Einstellung.

Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam auf der Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

Fahrzeugtechnik

Hochleistungsund Effizienz-Anwendungen

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den NVMFS5C442NLAFT3G steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Es wird empfohlen, dieses herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

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    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

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    2026/03/23

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    2026/03/20

  • Jaso***.

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