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| Artikelnummer: | NVMFS5A160PLZT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | -60V7.7MOHMSINGLE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $24.072 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Standardpaket | 1,500 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Bleifreier Status | Lead free |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7700pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 60V 15A (Ta), 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta), 100A (Tc) |
| NVMFS5A160PLZT1G Einzelheiten PDF [English] | NVMFS5A160PLZT1G PDF - EN.pdf |




NVMFS5A160PLZT1G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NVMFS5A160PLZT1G ist ein P-Kanal-MOSFET von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 15 A bei 25°C (Ta) bzw. 100 A bei Gehäusetemperatur (Tc).
P-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 15 A bei 25°C (Ta) bzw. 100 A bei Gehäusetemperatur (Tc)
Ansteuerungsspannung (Max Rds On, Min Rds On) von 4,5 V und 10 V
Niedriger On-Widerstand (Rds On) von 7,7 mOhm bei 50 A und 10 V
Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)) von 2,6 V bei 1 mA
Gate-Ladung (Qg) von 160 nC bei 10 V
Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von \\u00b120 V
Eingangskapazität (Ciss) von 7700 pF bei 20 V
Automobilzertifiziert (AEC-Q101) für zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Niedriger Rds On für effiziente Stromverbrauch
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
8-PowerTDFN, 5-Leiter Gehäuse
Oberflächenmontage (SMT)
Dieses Produkt ist veraltet.
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Automobil-Elektronik
Industrielle Netzteile
Motorensteuerungen
Strommanagementschaltungen
Das offizielle Datenblatt für den NVMFS5A160PLZT1G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
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NVMFS5A160PLZT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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