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| Artikelnummer: | NVD5C668NLT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.1244 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 44W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 49A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NVD5C668 |
| NVD5C668NLT4G Einzelheiten PDF [English] | NVD5C668NLT4G PDF - EN.pdf |




NVD5C668NLT4G
onsemi – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NVD5C668NLT4G ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 49 A bei 25°C Gehäusetemperatur. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand (Rds(on)) von 8,9 mΩ bei 25 A und 10 V aus und eignet sich ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen und Stromwandlungsprojekte.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bis zu 49 A bei 25°C
Geringer Rds(on) von 8,9 mΩ bei 25 A und 10 V
Automotive-Qualität (AEC-Q101 zertifiziert)
Oberflächenmontage in DPAK-Gehäuse
Herausragende Effizienz und Leistung bei Hochstrom-Schaltund Energieumwandlungsanwendungen
Automobilreife Zuverlässigkeit und Qualität
Kompaktes DPAK-Gehäuse spart Platz auf der Leiterplatte
Spule & Reel Verpackung
DPAK (TO-252-3) Gehäuse mit 2 Anschlüssen und einem Kühlblech
Ideal für oberflächenmontierte Bestückung
Das Produkt NVD5C668NLT4G ist ein aktives Bauteil.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Website für weitere Informationen.
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Das maßgebliche Datenblatt für den NVD5C668NLT4G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen.
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