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| Artikelnummer: | NTP5863NG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 97A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTP586 |
| NTP5863NG Einzelheiten PDF [English] | NTP5863NG PDF - EN.pdf |




NTP5863NG
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTP5863NG ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor von onsemi. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsselektronik-Anwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Niedriger On-Widerstand: 7,8 mΩ bei 20A, 10V
Hoher Dauer-S Drain-Strom: 97A (Tc)
Breiter Betriebstromspannungsbereich: 60V
Großer Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
Hervorragende Stromverarbeitung und Effizienz
Geeignet für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Robuste und zuverlässige Leistung
Gehäuse: TO-220-3
Durchsteckmontage
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NTP5860NL O
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