Deutsch
| Artikelnummer: | NTMS10P02R2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.3897 |
| 10+ | $1.1743 |
| 30+ | $1.0402 |
| 100+ | $0.9017 |
| 500+ | $0.839 |
| 1000+ | $0.8119 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3640 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NTMS10 |
| NTMS10P02R2G Einzelheiten PDF [English] | NTMS10P02R2G PDF - EN.pdf |




NTMS10P02R2G
Y-IC ist ein zertifizierter Distributor qualitativ hochwertiger Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTMS10P02R2G ist ein P-Kanal-MOSFET-Transistor von onsemi. Es handelt sich um ein Oberflächenmontageteil im 8-SOIC-Gehäuse.
P-Kanal-MOSFET
20 V Drain-Source-Spannung
8,8 A Dauer-Draine Strom
14 mΩ On-Resistance
70 nC Gate-Ladung
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hohe Strombelastbarkeit
Niediger On-Widerstand für effizienten Leistungsschalter
Geeignet für einen breiten Temperaturbereich
Der NTMS10P02R2G ist im Tape & Reel (TR)-Format verpackt. Die Gehäusemaße betragen 0,154" (3,90 mm) in der 8-SOIC-Form.
Der NTMS10P02R2G ist ein aktives Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Webseite zu wenden.
Stromversorgungssteuerkreise
Motorsteuerung
Schaltregler
Allgemeine Leistungsschalteranwendungen
Das wichtigste technische Datenblatt für den NTMS10P02R2G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NTMS10P02R2G auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Angeboten zu profitieren.
HOLTEK SOP16
N-CHANNEL POWER MOSFET
HOLTEK SOP
MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK
VBSEMI SOP-8
NTMS4101PR2G O
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
NTMS4105NR2G ON
HOLTEK SOP16
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
NTMS4107NR2 ON
ON SOP-8
ON SOP8
NTMS10P02 ON
HOLTEK SSOP
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
NTMS10P02R2Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|