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| Artikelnummer: | NTMFS4983NFT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.079 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.7W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.9 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 106A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4983 |
| NTMFS4983NFT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4983NFT1G PDF - EN.pdf |




NTMFS4983NFT1G
Y-IC ist ein Qualitätsverteiler von onsemi-Produkten. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTMFS4983NFT1G ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen Dauer-Drain-Strom von 22 A bei 25°C und einen geringen On-Widerstand von 2,1 mΩ bei 30 A und 10 V.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30 V
Dauer-Drain-Strom von 22 A bei 25°C
On-Widerstand von 2,1 mΩ bei 30 A und 10 V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringe Gate-Ladung
Geeignet für effiziente Leistungswandlungsanwendungen
Ausgezeichnete Energieeffizienz dank niedrigem On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässiges und robustes Design
Breites Anwendungsspektrum im Leistungsbereich
Gehäusetyp: 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Gehäusegröße: 5x6 mm
Thermische Widerstände (Junktion zu Umgebung): 71°C/W
Thermische Widerstände (Junktion zu Case): 12°C/W
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) bis 30 V, Dauer-Drain-Strom (Id) bis zu 106 A bei 25°C
Der NTMFS4983NFT1G ist ein veraltetes Produkt. onsemi bietet jedoch mehrere gleichwertige und alternative Modelle an, die geeignet sein könnten. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Effiziente Leistungswandlung
DC-DC-Wandler
Motorantriebe
Industrielle Elektronik
Fahrzeugtechnik
Das aktuellste Datenblatt für den NTMFS4983NFT1G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich Ihr Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und dessen Vorteile für Ihre Anwendung.
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
NTMFS4983NBFTG ON
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
ON QFN
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
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MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 26.5A/207A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 26.5A/207A 5DFN
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ON DFN8
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
MOSFET N-CH 30V SO8FL
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