Deutsch
| Artikelnummer: | NTMFS4939NT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 9.3A/53A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2135 |
| 200+ | $0.0826 |
| 500+ | $0.0798 |
| 1500+ | $0.0783 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 920mW (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1954 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.3A (Ta), 53A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4939 |
| NTMFS4939NT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4939NT1G PDF - EN.pdf |




NTMFS4939NT1G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTMFS4939NT1G ist ein N-Kanal-LeistungsmOSFET mit 30 V Speisespannung und 9,3 A Dauerquerspannung, erhältlich in einem 5-poligen DFN-Gehäuse (5x6). Er ist konzipiert für vielfältige Anwendungen im Bereich Energieverwaltung und Schalttechnik.
N-Kanal-MOSFET
30 V Drain-Source-Spannung
9,3 A Dauerquerspannung (Ta), 53 A Dauerquerspannung (Tc)
Maximale On-Widerstand von 5,5 mOhm bei 30 A, 10 V
Maximale Gate-Ladung von 28,5 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Effiziente Energieumwandlung und -verwaltung
Hohe Leistungsdichte
Robustleistung über den gesamten Temperaturbereich
8-PowerTDFN-Gehäuse, 5 Kontakte
Oberflächenmontiertes Gehäuse
Ideal für Hochleistungsund energieeffiziente Anwendungen
Der NTMFS4939NT1G ist ein veraltetes Produkt.
Kunden werden empfohlen, sich an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energieverwaltung
Schalttechnik
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den NTMFS4939NT1G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden ermutigt, Angebote auf unserer Website anzufordern. Angebot anfordern | Mehr erfahren | Limitierte Sonderaktion
MOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
NTMFS4946N ON
MOSFET N-CH 30V 9.3A/53A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
NTMFS4943N ON
MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN
NTMFS4937N ON
ON QFN8
MOSFET N-CH 30V 8.3A/41A 5DFN
NTMFS4937NT1G QFN8 ON
MOSFET N-CH 30V 8.3A/41A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 9A/47A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
NTMFS4939NT1Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|